Halbleiter-Leistungsbauelemente
Springer Berlin (Verlag)
978-3-642-29795-3 (ISBN)
Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.
Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.
Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente Grundlagen.- Halbleiterbauelemente.- Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen.- Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen.- Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen.- Leistungselektronische Systeme.- Sachwortregister.
| Erscheint lt. Verlag | 7.11.2012 |
|---|---|
| Zusatzinfo | XXII, 383 S. 298 Abb. |
| Verlagsort | Berlin |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 168 x 240 mm |
| Gewicht | 816 g |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | Bipolare Transistoren • Halbleiter • Halbleiterbauelemente • Halbleiterphysik • Halbleiterphysikalische Grundlagen • Herstellungstechnologie • IGBTs • MOSFET • MOS Transistoren • pn-Übergänge • Robustheit • Schnelle Dioden • Schottky-Dioden • SchwingungseffekteSiC Bauelemente • Superjunction Bauelemente • Systemintegration • Thyristoren • Zuverlässigkeit |
| ISBN-10 | 3-642-29795-1 / 3642297951 |
| ISBN-13 | 978-3-642-29795-3 / 9783642297953 |
| Zustand | Neuware |
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