Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs

Buch | Softcover
138 Seiten
1997 | 1997
Deutscher Universitätsverlag
978-3-8244-2091-9 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
49,95 inkl. MwSt
Dissertation Universität Münster 1996
Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.

Dr. Frank Schröder-Oeynhausen studierte Physik an der Universität zu Köln und Betriebswirtschaft an der FernUniversität Hagen. Er ist Technologieberater beim VDI in Düsseldorf.

1 Einleitung.- 1.1 Technologischer Stellenwert von III-V-Halbleitern.- 1.2 Anforderungen an die Oberfläche von GaAs-Wafern.- 1.3 Ziel der Arbeit.- 2 Materialkunde.- 2.1 Galliumarsenid (GaAs).- 2.2 Herstellung von GaAs-Wafern.- 3 Verwendete oberflächenanalytische Methoden.- 3.1 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS).- 3.2 Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS).- 3.3 Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF).- 3.4 Ellipsometrie.- 4 Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs.- 4.1 Herstellung von Standards.- 4.2 Identifikation metallischer Spurenelemente.- 4.3 Tiefenanalyse metallischer Spurenelemente.- 4.4 Quantitative Analyse metallischer Spurenelemente.- 5 Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs.- 5.1 Oxidationsmechanismen.- 5.2 Signaturdaten für XPS, TOF-SIMS und Ellipsometrie.- 5.3 GaAs-Oberflächen nach Oxidation an Umgebungsluft.- 5.4 GaAs-Oberflächen nach Oxidation unter UV/Ozon-Einfluß.- 5.5 Vergleich der Oxidationsmechanismen.- 6 Zusammenfassende Diskussion.- 7 Literaturverzeichnis.

Erscheint lt. Verlag 23.9.1997
Co-Autor Frank Schröder-Oeynhausen
Zusatzinfo 138 S. 51 Abb.
Verlagsort Wiesbaden
Sprache deutsch
Maße 148 x 210 mm
Gewicht 193 g
Themenwelt Naturwissenschaften Chemie Analytische Chemie
Naturwissenschaften Physik / Astronomie Atom- / Kern- / Molekularphysik
Naturwissenschaften Physik / Astronomie Festkörperphysik
Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Wirtschaft Betriebswirtschaft / Management
Schlagworte Chemische Analyse • Elektronik • Galliumarsenide • Galliumverbindungen • Halbleiter • Kristall • Massenspektrometrie • Nanotechnologie • Oberflächenanalyse • Photoelektronenspektroskopie • Produktion • Spektrometrie • Vertrieb • Verunreinigung
ISBN-10 3-8244-2091-0 / 3824420910
ISBN-13 978-3-8244-2091-9 / 9783824420919
Zustand Neuware
Haben Sie eine Frage zum Produkt?
Wie bewerten Sie den Artikel?
Bitte geben Sie Ihre Bewertung ein:
Bitte geben Sie Daten ein:
Mehr entdecken
aus dem Bereich
Daten, Formeln, Übungsaufgaben

von Friedrich W. Küster; Alfred Thiel; Andreas Seubert

Buch | Softcover (2023)
De Gruyter (Verlag)
49,95