Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-23437-1 (ISBN)
Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden.
Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.
Nach dem Studium der Physik und der Promotion zum Dr.-Ing. arbeitete Jörg Schulze als Wissenschaftlicher Mitarbeiter an der Universität der Bundeswehr München, wo er sich 2004 habilitierte. Ab 2005 war er bei der Siemens AG in München tätig. Parallel lehrte er als Privatdozent an der Fakultät für Physik der UdB München. Zum 1. Oktober wechselt Jörg Schulze an die Universität Stuttgart, wo er die Leitung des Instituts für Halbleitertechnik übernimmt.
Logik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten.- Konzepte der CMOS-Logik und HF-Technologie.- Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs-MOSFETs.
| Erscheint lt. Verlag | 17.3.2005 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Halbleiter-Elektronik |
| Zusatzinfo | XVIII, 429 S. |
| Verlagsort | Berlin |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 155 x 235 mm |
| Gewicht | 775 g |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | Bauelement • CMOS • Einzelelektronentransistor • Elektronische Bauelemente • elektronische Konzepte • ESSDERC • Feldeffekttransistor • Frequenz • Hochfrequenz • IEDM • Leistung • Leistungselektronik • Leistungsfeldeffekttransistor • Leistungs-MOSFET • Logik • Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor • MOSFET • MOS-Technologie • Rom • Silicium • Silicium / Silizium • Silizium • SSDM • Transistor |
| ISBN-10 | 3-540-23437-3 / 3540234373 |
| ISBN-13 | 978-3-540-23437-1 / 9783540234371 |
| Zustand | Neuware |
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